"또 삼성 넘었다"…SK, 세계 첫 300단 이상 낸드로 '적층 경쟁'서 우위 차지

SK하이닉스, 美서 321단 4D 낸드 개발 샘플 공개…2025년 상반기부터 양산 시작 SK하이닉스가 업계 최초로 300단 이상 낸드 개발을 진행 중임을 공식화하며 '적층 경쟁'에서 또 한 번 더 삼성전자를 앞질렀다. HBM, DDR5에 이어 낸드플래시 시장에서도 삼성전자와의 기술 격차를 점차 벌려나가는 모양새다. SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 산타클라라에서 개막한 '플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit, FMS) 2023'에서 321단 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했다. 플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit, FMS)은 매년 미국 캘리포니아 주 산타클라라에서 열리는 낸드플..

2023.08.09